07.08.2013 Смартфоны получат память объемом 1 терабайт
Новая технология обеспечит смартфоны большим объемом памяти.
Resistive RAM (RRAM) - это новый тип памяти, способный уместить до 1 терабайта данных на одном чипе. При этом считывание данных будет происходить в несколько десятков раз быстрее, нежели в случае с типом памяти NAND, которые используются в мобильных устройствах и цифровых камерах на сегодняшний день.
RRAM-чипы обладают скоростью записи до 140 мегабайт в секунду, в то время как скорость записи NAND не превышает семи, а чтение - 17 МБ/с. Первый тип чипов ко всему прочему потребляет в 20 раз меньше энергии и служит намного дольше флеш-памяти. RRAM-чипы не потребуют изменения технологии производства, хотя первые продукты все равно появятся на рынке не ранее 2015-2016 года. Новая технология использует многоуровневую структуру, в которой ячейки памяти состоят из трех слоев: металлического электрода, переключателя и неметаллического электрода.
Источник: Сrossbar